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海力士將在中國投資8億美元提高內存芯片產能

放大字體  縮小字體 發布日期:2016-12-22  來源:鳳凰科技  瀏覽次數:707
核心提示:作為全球第二大存儲芯片制造商,SK海力士表示,將投資2.2萬億韓元在韓國南部新建一座NAND閃存芯片工廠,并同時投資9500億韓元(約合7.93億美元)提高現有中國無錫工廠的DRAM內存芯片產能。
據外媒報道,韓國SK海力士周四宣布,將在韓國和中國投資3.16萬億韓元(約合27億美元)以提高存儲芯片產能,抓住行業內需求增長的機遇。作為全球第二大存儲芯片制造商,SK海力士表示,將投資2.2萬億韓元在韓國南部新建一座NAND閃存芯片工廠,并同時投資9500億韓元(約合7.93億美元)提高現有中國無錫工廠的DRAM內存芯片產能。

移動設備存儲需求的增長和固態硬盤在PC、數據中心的使用已促使SK海力士對手三星電子、東芝提高在芯片生產上的投資。“為了實現進一步增長,提前確保芯片產能很重要,這樣才能應對3D NAND技術引領的NAND閃存市場增長,”SK海力士在一份聲明中稱。

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市場研究公司IHS預計,明年NAND閃存芯片行業收入將同比增長5.9%至357億美元,高于今年的5.7%增速。

SK海力士股價今年已經累計上漲了大約49%,有望創下自2009年以來的最大漲幅。在周四早盤交易中,SK海力士股價上漲2%,超過了大盤指數漲幅。 
 
關鍵詞: 海力士 內存 芯片 產能
 
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